SIE868DF-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SIE868DF-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.97 |
10+ | $2.686 |
100+ | $2.1588 |
500+ | $1.679 |
1000+ | $1.3912 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 10-PolarPAK® (L) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | 10-PolarPAK® (L) |
Andere Namen | SIE868DF-T1-GE3DKR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
SIE868DF-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIE868DF-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SIE864DP-T1-GE3 VISHAY
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SIE862DF vishay
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2024/01/25
2024/09/11
2024/09/10
2024/01/31
SIE868DF-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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